光刻机

什么是光刻机

光刻机(紫外曝光机)(Mask Aligner) 又被称为:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

光刻机用途

 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。 由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

光刻机分类

光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动。
A 手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
B 半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
C 自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要,恩科优的NXQ8000系列可以一个小时处理几百片wafer。

单面光刻机主要技术指标

1、适用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度,能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头,光的不均匀性≤±3%,曝光时间0~9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺:利用基片切边进行定位,定位精度≤1微米 。
6、具有双工作承片台,利用曝光时间,进行卸片、上片工作。

双面光刻机主要技术指标

双面对准,单面曝光(适用于6″、5″、4″、3″、2″基片)
双面对准,双面曝光(适用于6″、5″、4″、3″、2″基片)

1、适用于6″、5″、4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘,,□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度,能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头,光的不均匀性≤±3%,曝光时间0~9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺:利用基片切边进行定位,定位精度≤1微米 。
6、具有双工作承片台,利用曝光时间,进行卸片、上片工作。

光刻机紫外光源

曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
紫外光(UV),g线:436nm;i线:365nm
深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm
极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高,因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。
对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。
曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。

光刻机生产厂家供应信息

厂家名称:成都新德南光机械设备有限公司.
厂家地址:四川省成都市武侯区逸都路29号.
厂家联系人:文宽.
厂家联系电话:13540650355。
该厂家位于四川成都,多地有驻外办事处,可面向全国各个企业提供光刻机相关产品的定制和维修。

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