单面光刻机

单面光刻机主要技术指标
1、适用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度,能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头,光的不均匀性≤±3%,曝光时间0~9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺:利用基片切边进行定位,定位精度≤1微米 。
6、具有双工作承片台,利用曝光时间,进行卸片、上片工作。

G-27型单面光刻机

G-27型单面光刻机

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。
由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场显微镜(或CCD显微显示系统)、多点光源(蝇眼)曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于Φ153mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源(蝇眼)曝光头,非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持一致,自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件,使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
主要技术指标
◆曝光类型:单面
◆曝光面积:≥φ170mm
◆曝光照度不均匀性:≤±6%
◆曝光强度:≥5mw/cm2(365nm、404nm、435nm的组合紫外光)
◆曝光分辨率:≤2μm
◆曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;
◆扫描范围:X:±40mm Y:±30mm
◆对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm; Q粗调±15°细调±3°
◆套刻精度:≤1μm
◆分离量;0~50μm可调
◆接触-分离漂移:≤1μm
◆曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光
◆找平机构:三点式自动找平
◆显微系统:双视场CCD系统,显微镜60X~400X连续变倍(物镜1.5X~10X连续
变倍),双物镜距离可调范围:45mm~150mm,计算机图像处理系统,19″液晶监
视器;
◆掩模版尺寸:5”×5”、6”×6”、7”×7”
◆基片尺寸:Φ4”、Φ5”、Φ6”
◆基片厚度:≤5 mm
◆曝光灯功率:直流350W
◆曝光定时:0~999.9秒可调
◆对准方式:切斯曼对准机构
◆曝光头转位:气动
◆电源:单相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
◆洁净空气压力:≥0.4MPa
◆真空度:-0.07MPa~-0.09MPa
◆尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm
◆重量:~170kg

G-43型简易光刻机

主要用途:
    对晶片、陶瓷片、玻璃片(圆片或方片)的一次性曝光,特别适用于声表面波器件、光栅、分划板、可控硅等的曝光,二极管、三极管、分立元件的第一次光刻。
工作方式:
    本机具有二个承片台,一个承片台在曝光时,另一个承片台进行卸片和上片工作。当上一片曝光完后,曝光完了的承片台下降,转动双位承片台后,已曝光的承片台转出,进行卸片和上片;装好片的承片台上升,自动顶紧,自动找平,并进行真空密着,然后打开快门进行曝光,上片时,利用基片切边进行预定位。
主要技术指标:
1、适用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度,能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用多点光源曝光头,光的不均匀性≤±6%,曝光时间0~9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺:利用基片切边进行定位,定位精度≤0.1mm 。
6、具有双工作承片台,利用曝光时间,进行卸片、上片工作。
主要特点:

简单、可靠、高效,特别适用于大批量生产。

 G-25型单面光刻机

 G-25型单面光刻机

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。
由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光
主要构成
    主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、多点光源(蝇眼)曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
    适用于Φ100mm以下(最小尺寸为Φ5mm),厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
    采用高均匀性的多点光源(蝇眼)曝光头,非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
    采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持一致,自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
    采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件,使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、检修简便。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。主要技术指标
曝光类型:单面
曝光面积:≥φ115mm
曝光不均匀性:≤±3%
曝光强度:≥20mw/cm2
曝光分辨率:1μm
曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光模式
扫描范围:X:±40mm   Y:±35mm
对准范围:X、Y粗调±3mm、细调±0.3mm Q粗调±15°、细调±3°
对准精度:1μm
分离量:0~50μm可调
接触-分离漂移:≤1μm
密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光;
找平机构:三点式自动找平;
显微系统:双视场CCD系统,显微镜45X~ 300X连续变倍(物镜1.125X~7.5X),双 物镜距离可调范围:11mm~100 mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;
掩模版尺寸:2.5″×2.5″(或3″×3″) 4″×4″、5″×5″
基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度:≤5 mm
曝光灯功率:直流350W
曝光定时:0~999.9秒可调
对准方式:切斯曼对准机构
曝光头转位:气动
电源:单相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
洁净空气压力:≥0.4Mpa
真空度:-0.07MPa~-0.09Mpa
尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm;
重量:~170kg

 G-25A型单面光刻机

G-25A型单面光刻机

主要用途
    主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
主要构成
    主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝 光头、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、防震工作台和附件箱等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构先进
具有气浮式找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构;具有真空掩膜版架、真空片吸盘。
3.操作简便
采用翻板方式取片、放片;按钮、按键方式操作,可实现真空 吸版、吸片、吸浮球、吸扫描锁等功能,操作、调试、维护、修理 都非常简便。
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器;采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件,使本机具有非常高的可靠性。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
主要技术指标
曝光类型:单面
曝光面积:≥φ120mm
光束不平行度:≤6°
曝光不均匀性:≤±5%
曝光强度:≥5mw/cm2
曝光分辨率:≤1.5μm
曝光模式:套刻曝光
对准精度:1μm
扫描范围:X:±40mm   Y:±35mm
对准范围:X、Y调节±4mm,旋转调节90°
最大升降:8mm
密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
显微系统:双视场CCD系统;放大倍数5X~
300X连续可调(物镜1.1~7.5倍连续可调);双 物镜距离可调范围11mm~100 mm;计算机图像处理系统;
掩模版尺寸:2.5″×2.5″、4″×4″、
              5″×5″
基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度:≤5 mm
曝光灯功率:直流200W
曝光定时:0~999.9秒可调
电源:AC220V 50Hz 1kW
空气:P≥0.1MPa,耗气量0.2m3/小时;
真空度:-0.07MPa~-0.09MPa
外形尺寸:918×680×1450(L×W×H)mm
重量:~160kg

G-25X型单面光刻机

G-25X型单面光刻机

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。
由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、蝇眼曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。
主要功能特点

1.适用范围广
    适用于Φ100mm以下(最小尺寸为Φ5mm),厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
    采用高均匀性的蝇眼曝光头,非常理想的微调系统机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
    采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持一致,自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
    采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件,使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、检修简便。
5.特设“碎片”处理功能
    解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题
主要技术指标
曝光类型:单面
曝光面积:≥Φ115mm
曝光不均匀性:≤±3%
曝光强度:≥20mw/cm2
曝光分辨率:1μm
曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光模式
扫描范围:X:±40mm   Y:±35mm
对准范围:X、Y粗调±3mm、细调±0.3mm Q粗调±15°、细调±3°
对准精度:1μm
分离量:0~50μm可调
接触-分离漂移:≤1μm
密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光;
找平机构:三点式自动找平;
显微系统:双视场CCD系统,显微镜45X~ 300X连续变倍(物镜1.125X~7.5X),双 物镜距离可调范围:11mm~100 mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;
掩模版尺寸:2.5″×2.5″(或3″×3″) 4″×4″、5″×5″
基片尺寸:Φ2″、Φ3″、Φ4″
基片厚度:≤5 mm
曝光灯功率:直流350W
曝光定时:0~999.9秒可调
对准方式:高精度微调对准机构
曝光头转位:气动
电源:单相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
洁净空气压力:≥0.4Mpa
真空度:-0.07MPa~-0.09Mpa
尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm;
重量:~180kg

 

 

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