光刻机

发布时间：2021-10-30

什么是光刻机

光刻机(紫外曝光机)（Mask Aligner) 又被称为：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

光刻机用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。由于本机找平机构先进，找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

光刻机分类

光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。
A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C 自动： 指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要，恩科优的NXQ8000系列可以一个小时处理几百片wafer。

单面光刻机主要技术指标

1、适用于4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘，□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度，能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头，光的不均匀性≤±3%，曝光时间0～9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺：利用基片切边进行定位，定位精度≤1微米。
6、具有双工作承片台，利用曝光时间，进行卸片、上片工作。

双面光刻机主要技术指标

双面对准，单面曝光（适用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
双面对准，双面曝光（适用于6″、5″、4″、3″、2″基片）

1、适用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度，能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头，光的不均匀性≤±3%，曝光时间0～9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺：利用基片切边进行定位，定位精度≤1微米。
6、具有双工作承片台，利用曝光时间，进行卸片、上片工作。

光刻机紫外光源

曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

对光源系统的要求

a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度或者叫不均匀度光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。

光刻机生产厂家供应信息

厂家名称：成都新德南光机械设备有限公司.
厂家地址：四川省成都市武侯区逸都路29号.
厂家联系人：文宽.
厂家联系电话：13540650355。
该厂家位于四川成都，多地有驻外办事处，可面向全国各个企业提供光刻机相关产品的定制和维修。

m, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm